Технічний опис IS61QDB21M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 18Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx18bit, Operating voltage: 1.8V, Case: LFBGA165, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube.
Інші пропозиції IS61QDB21M18A-250B4LI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61QDB21M18A-250B4LI | ISSI |
SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61QDB21M18A-250B4LI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Operating voltage: 1.8V Case: LFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61QDB21M18A-250B4LI |
![]() |
Виробник: ISSI
SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS
SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61QDB21M18A-250B4LI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Operating voltage: 1.8V
Case: LFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; 1.8V; LFBGA165; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Operating voltage: 1.8V
Case: LFBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику
од. на суму грн.


