Технічний опис IS61VPS204836B-250B3L ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 2.5V; 2.8ns; TFBGA165; 0÷70°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 72Mb SRAM, Memory organisation: 2Mx36bit, Operating voltage: 2.5V, Access time: 2.8ns, Case: TFBGA165, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of package: in-tray; tube.
Інші пропозиції IS61VPS204836B-250B3L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
/165-TBGA.jpg "IS61VPS204836B-250B3L") |
IS61VPS204836B-250B3L | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 72M 250MHZ 165BGA |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61VPS204836B-250B3L | Виробник : ISSI |
SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS61VPS204836B-250B3L | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 2.5V; 2.8ns; TFBGA165; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 72Mb SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Operating voltage: 2.5V Access time: 2.8ns Case: TFBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |