Технічний опис IS61VPS25636A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 2.5V; 3.1ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Operating voltage: 2.5V, Access time: 3.1ns, Case: TQFP100, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube.
Інші пропозиції IS61VPS25636A-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61VPS25636A-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 100TQFP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61VPS25636A-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 2.5V; 3.1ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 256kx36bit Operating voltage: 2.5V Access time: 3.1ns Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |