Технічний опис IS61WV102416ALL-20MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 1.65...2.2V, Access time: 20ns, Case: TFBGA48, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube.
Інші пропозиції IS61WV102416ALL-20MLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61WV102416ALL-20MLI | ISSI |
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 210 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV102416ALL-20MLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Operating voltage: 1.65...2.2V Access time: 20ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 210 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IS61WV102416ALL-20MLI | ISSI |
SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 20ns 48-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 210 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV102416ALL-20MLI |
![]() |
Виробник: ISSI
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61WV102416ALL-20MLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 1.65...2.2V
Access time: 20ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 1.65÷2.2V; 20ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Operating voltage: 1.65...2.2V
Access time: 20ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61WV102416ALL-20MLI |
![]() |
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 20ns 48-Pin TFBGA
SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-bit 1M x 16 20ns 48-Pin TFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику
од. на суму грн.


