IS61WV12816DBLL-10TLI ISSI
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Case: TSOP44 II
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Operating voltage: 2.4...3.6V
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 128kx16bit
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV12816DBLL-10TLI ISSI
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 128K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61WV12816DBLL-10TLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV12816DBLL-10TLI | ISSI |
SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v |
на замовлення 3764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV12816DBLL-10TLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 3764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)