Технічний опис IS61WV25616BLL-10KLI ISSI
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 44-SOJ, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 4Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tube, Memory Organization: 256K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61WV25616BLL-10KLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV25616BLL-10KLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin SOJ
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)