на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.24 грн |
| 10+ | 253.91 грн |
| 50+ | 217.77 грн |
| 100+ | 208.69 грн |
| 250+ | 205.67 грн |
| 480+ | 201.89 грн |
| 960+ | 192.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV25616EDBLL-10BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS61WV25616EDBLL-10BLI за ціною від 203.65 грн до 328.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGAPackaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchron Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IS61WV25616EDBLL-10BLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-10BLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |