IS61WV25616EDBLL-10TLI ISSI
Виробник: ISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.10 грн |
| 10+ | 228.78 грн |
| 25+ | 192.76 грн |
| 50+ | 188.65 грн |
| 100+ | 182.47 грн |
| 270+ | 177.67 грн |
| 540+ | 172.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV25616EDBLL-10TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS61WV25616EDBLL-10TLI за ціною від 175.72 грн до 293.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV25616EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS61WV25616EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS61WV25616EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS61WV25616EDBLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS61WV25616EDBLL-10TLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|