 
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 465.97 грн | 
| 10+ | 427.70 грн | 
| 25+ | 360.45 грн | 
| 50+ | 356.64 грн | 
| 100+ | 343.65 грн | 
| 250+ | 308.52 грн | 
| 480+ | 307.00 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 8ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 8 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції IS61WV25616EDBLL-8BLI за ціною від 359.88 грн до 498.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |  Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 8ns Memory Interface: Parallel Access Time: 8 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 186 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |  SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |  SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA | товару немає в наявності | |||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | Виробник : ISSI |  Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 3.3V Access time: 8ns Case: TFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності |