Технічний опис IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 256kx8bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Case: TFBGA36, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Access time: 10ns.
Інші пропозиції IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR | ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Operating voltage: 2.4...3.6V Case: TFBGA36 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Access time: 10ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR |
|
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Access time: 10ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Access time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.