IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI
Виробник: ISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of package: reel; tape
Access time: 10ns
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 256kx8bit, Case: TFBGA36, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Operating voltage: 2.4...3.6V, Kind of package: reel; tape, Access time: 10ns, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS |
товар відсутній |
|
| IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 256kx8bit Case: TFBGA36 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.4...3.6V Kind of package: reel; tape Access time: 10ns |
товар відсутній |