Продукція > ISSI > IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR

IS61WV3216DBLL-10TLI-TR ISSI


61-64wv3216daxx-dbxx.pdf Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 512K-bit 32K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61WV3216DBLL-10TLI-TR ISSI

Description: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Kbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 32K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS61WV3216DBLL-10TLI-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR Виробник : ISSI IS6%281%2C4%29WV3216DxLL_DxLS.pdf 61WV3216DBLL1TLITR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR IS61WV3216DBLL-10TLI-TR Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS6%281%2C4%29WV3216DxLL_DxLS.pdf Description: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR IS61WV3216DBLL-10TLI-TR Виробник : ISSI 61-64WV3216DBxx-1102512.pdf SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.