Продукція > ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC > IS61WV51216BLL-10MLI
IS61WV51216BLL-10MLI

IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

61-64WV51216.pdf Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1162.68 грн
10+1037.92 грн
25+1005.34 грн
50+920.52 грн
210+873.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61WV51216BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IS61WV51216BLL-10MLI за ціною від 806.31 грн до 1253.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 1674898.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1232.15 грн
10+1116.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI Виробник : ISSI 61_64WV51216-258283.pdf SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1253.97 грн
10+1142.99 грн
25+968.16 грн
100+863.69 грн
210+812.93 грн
420+807.04 грн
2520+806.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI 61-64WV51216.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI Виробник : ISSI 6164wv51216.pdf SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216BLL-10MLI Виробник : ISSI IS61WV51216BLL-10MLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.