IS61WV51216BLL-10TLI Integrated Silicon Solution Inc.
Виробник: Integrated Silicon Solution Inc.
Fast Asynchronous SRAM, 8Mbit (512k x 16bit), 10ns, 2.5V, -40?85°C IS61WV51216BLL-10TLI 6216512/10-2.5V TSOP2-44 PS8192/16/10 tso2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 930.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV51216BLL-10TLI Integrated Silicon Solution Inc.
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit.
Інші пропозиції IS61WV51216BLL-10TLI за ціною від 767.49 грн до 2517.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.4...3.6V |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IS61WV51216BLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI |
SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v |
на замовлення 1711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IS61WV51216BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IS61WV51216BLL-10TLI |
|
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 2.4...3.6V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1521.50 грн |
| 3+ | 1339.86 грн |
| 10+ | 1240.36 грн |
| 25+ | 1109.36 грн |
| IS61WV51216BLL-10TLI |
|
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2517.70 грн |
| IS61WV51216BLL-10TLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IS61WV51216BLL-10TLI |
|
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1074.80 грн |
| 10+ | 959.62 грн |
| 25+ | 929.66 грн |
| 50+ | 851.25 грн |
| 135+ | 821.21 грн |
| 270+ | 800.57 грн |
| 540+ | 767.49 грн |