IS61WV51216BLL-10TLI ISSI
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 862.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV51216BLL-10TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS61WV51216BLL-10TLI за ціною від 849.44 грн до 1469.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : ISSI |
 SRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : Integrated Silicon Solution Inc. |
Fast Asynchronous SRAM, 8Mbit (512k x 16bit), 10ns, 2.5V, -40?85°C IS61WV51216BLL-10TLI 6216512/10-2.5V TSOP2-44 PS8192/16/10 tso2 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : ISSI |
61WV51216BLL-10TLI Parallel SRAM memories - integ. circ. |
на замовлення 235 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IS61WV51216BLL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
товару немає в наявності |