IS61WV51216EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 843.10 грн |
| 10+ | 753.97 грн |
| 25+ | 730.60 грн |
| 50+ | 669.11 грн |
| 100+ | 652.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV51216EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 512K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 8Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFBGA, Packaging: Tray.
Інші пропозиції IS61WV51216EDBLL-10BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI |
SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV51216EDBLL-10BLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)