Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV51216EDBLL-10TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423290, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.b, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS61WV51216EDBLL-10TLI за ціною від 604.88 грн до 810.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV51216EDBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
 Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 VtariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IS61WV51216EDBLL-10TLI |
|
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61WV51216EDBLL-10TLI |
|
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 810.55 грн |
| 10+ | 724.42 грн |
| 25+ | 702.00 грн |
| 50+ | 642.92 грн |
| 135+ | 620.39 грн |
| 270+ | 604.88 грн |