 
IS61WV5128FBLL-10TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
 Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
                                                Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 261.29 грн | 
| 10+ | 234.73 грн | 
| 25+ | 231.31 грн | 
| 50+ | 197.28 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61WV5128FBLL-10TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV5128FBLL-10TLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 2.4 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.4V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchron, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019). 
Інші пропозиції IS61WV5128FBLL-10TLI за ціною від 168.77 грн до 269.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IS61WV5128FBLL-10TLI | Виробник : ISSI |  SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS | на замовлення 828 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | IS61WV5128FBLL-10TLI | Виробник : ISSI |  SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | IS61WV5128FBLL-10TLI | Виробник : ISSI |  SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | IS61WV5128FBLL-10TLI | Виробник : ISSI |  SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | |||||||||||||
| IS61WV5128FBLL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |  Description: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,5 Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 | товару немає в наявності |