Технічний опис IS61WV6416DBLL-10TLI-TR ISSI
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 1Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Memory Organization: 64K x 16, Access Time: 10 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Memory Format: SRAM, Technology: SRAM - Asynchronous.
Інші пропозиції IS61WV6416DBLL-10TLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR | ISSI |
 SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS61WV6416DBLL-10TLI-TR |
|
Виробник: ISSI
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)