
IS62WV12816EALL-55BLI ISSI

SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 287.53 грн |
10+ | 258.04 грн |
25+ | 219.23 грн |
100+ | 195.69 грн |
250+ | 194.96 грн |
480+ | 177.30 грн |
2880+ | 176.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS62WV12816EALL-55BLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 2Mb SRAM, Memory organisation: 128kx16bit, Operating voltage: 1.65...2.2V, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Access time: 55ns.
Інші пропозиції IS62WV12816EALL-55BLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS62WV12816EALL-55BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS62WV12816EALL-55BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IS62WV12816EALL-55BLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 128kx16bit; 1.65÷2.2V; 55ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 2Mb SRAM Memory organisation: 128kx16bit Operating voltage: 1.65...2.2V Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Access time: 55ns |
товару немає в наявності |