Продукція > ISSI > IS62WV25616BLL-55BLI
IS62WV25616BLL-55BLI

IS62WV25616BLL-55BLI ISSI


62WV25616ALL-258450.pdf Виробник: ISSI
SRAM 4Mb 256Kx16 55ns Async SRAM
на замовлення 436 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.77 грн
10+ 292.06 грн
100+ 221.88 грн
250+ 221.2 грн
480+ 213.01 грн
960+ 202.08 грн
2880+ 192.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS62WV25616BLL-55BLI ISSI

Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 55ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 55 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS62WV25616BLL-55BLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS62WV25616BLL-55BLI Виробник : ISSI 62WV25616ALL.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IS62WV25616BLL-55BLI Виробник : ISSI 14662wv25616all.pdf SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 55ns 48-Pin Mini-BGA
товар відсутній
IS62WV25616BLL-55BLI Виробник : ISSI IS62WV25616BLL-55BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.5...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
IS62WV25616BLL-55BLI IS62WV25616BLL-55BLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 62WV25616ALL.pdf Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IS62WV25616BLL-55BLI Виробник : ISSI IS62WV25616BLL-55BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.5...3.6V
товар відсутній