IS62WV25616EBLL-45TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV25616EBLL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Kbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherkonfiguration SRAM: 256K x 16bit
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Zugriffszeit: 45ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Speichergröße: 4Kbit
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 203.72 грн |
| 10+ | 184.57 грн |
| 25+ | 179.98 грн |
| 50+ | 158.59 грн |
| 100+ | 137.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS62WV25616EBLL-45TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS62WV25616EBLL-45TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Kbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V, tariffCode: 85423290, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung: 2.2V bis 3.6V, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Speicherkonfiguration SRAM: 256K x 16bit, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 4Kbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 45ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.6V, euEccn: NLR, Speichergröße: 4Kbit, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 2.2V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IS62WV25616EBLL-45TLI за ціною від 147.33 грн до 257.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS62WV25616EBLL-45TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IS62WV25616EBLL-45TLI | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IS62WV25616EBLL-45TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II; parallel Case: TSOP44 II Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Memory capacity: 4Mb Operating voltage: 2.2...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Memory organisation: 256kx16bit Access time: 45ns |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IS62WV25616EBLL-45TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II; parallel Case: TSOP44 II Operating temperature: -40...85°C Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Memory capacity: 4Mb Operating voltage: 2.2...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory Memory organisation: 256kx16bit Access time: 45ns |
товар відсутній |