Технічний опис IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR ISSI
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 12 ns, Memory Organization: 128K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS64WV12816DBLL-12CTLA3TR | Виробник : ISSI |
 SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 12ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
IS64WV12816DBLL-12CTLA3TR | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 12ns Automotive AEC-Q100 44-Pin TSOP-II T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 128K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
 |
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,10ns/3.3v, or 12ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp |
товару немає в наявності |