 
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 ISSI
 Виробник: ISSI
                                                Виробник: ISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 522.10 грн | 
| 10+ | 468.97 грн | 
| 25+ | 400.17 грн | 
| 50+ | 397.11 грн | 
| 100+ | 360.45 грн | 
| 270+ | 329.14 грн | 
| 540+ | 319.98 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 ISSI
Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 128K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції IS64WV12816EDBLL-10CTLA3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | 
|---|---|---|---|---|---|
|  | IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |  Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 128K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності |