Продукція > ISSI > IS64WV12816EDBLL-10CTLA3
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3

IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 ISSI


61_64WV12816EDBLL-258467.pdf Виробник: ISSI
SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/33v, or 10ns/24v-36v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC
на замовлення 105 шт:

термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.71 грн
10+475.47 грн
25+406.10 грн
100+363.43 грн
270+345.77 грн
540+332.53 грн
1080+326.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 ISSI

Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 128K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS64WV12816EDBLL-10CTLA3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61-64WV12816EDBLL.pdf Description: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 128K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.