Технічний опис IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 8Mb SRAM, Memory organisation: 512kx16bit, Operating voltage: 2.4...3.6V, Access time: 10ns, Case: TSOP44 II, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...125°C, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 8MB 10NS 44TSOP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp |
товару немає в наявності |
|
| IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |