Продукція > ISSI > IS66WV51216EALL-70BLI-TR

IS66WV51216EALL-70BLI-TR ISSI


66WV51216EALL-EBLL.pdf Виробник: ISSI
high-speed,8M bit static RAMs organized as 512K words by 16 bits
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS66WV51216EALL-70BLI-TR ISSI

Description: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 512K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS66WV51216EALL-70BLI-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS66WV51216EALL-70BLI-TR Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 66WV51216EALL-EBLL.pdf Description: IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS66WV51216EALL-70BLI-TR IS66WV51216EALL-70BLI-TR Виробник : ISSI 66WV51216EALL-EBLL.pdf SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v 1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.