Продукція > INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI > IS66WV51216EBLL-55TLI
IS66WV51216EBLL-55TLI

IS66WV51216EBLL-55TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI

2622047.pdf
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+698.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS66WV51216EBLL-55TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit.

Інші пропозиції IS66WV51216EBLL-55TLI за ціною від 162.36 грн до 224.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 66WV51216EALL-EBLL.pdf Description: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.17 грн
10+201.60 грн
25+195.67 грн
50+179.42 грн
135+173.41 грн
270+169.22 грн
540+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI 66WV51216EALL-EBLL.pdf SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS66WV51216EBLL-55TLI 66WV51216EALL-EBLL.pdf
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 55 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.17 грн
10+201.60 грн
25+195.67 грн
50+179.42 грн
135+173.41 грн
270+169.22 грн
540+162.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS66WV51216EBLL-55TLI 66WV51216EALL-EBLL.pdf
Виробник: ISSI
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.