Технічний опис IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit.
Інші пропозиції IS66WV51216EBLL-55TLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WV51216EBLL-55TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
 Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS66WV51216EBLL-55TLI | ISSI |
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS66WV51216EBLL-55TLI |
|
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS66WV51216EBLL-55TLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)