IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 140.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WV51216EBLL-55TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS66WV51216EBLL-55TLI за ціною від 142.23 грн до 251.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns |
на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: TSOP44 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.5...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 55ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Case: TSOP44 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Operating voltage: 2.5...3.6V Kind of package: in-tray; tube Access time: 55ns |
товар відсутній |