IS66WV51216EBLL-55TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 257.63 грн |
| 10+ | 240.51 грн |
| 25+ | 233.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WV51216EBLL-55TLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WV51216EBLL-55TLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.5 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II, Speicherdichte: 8Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS66WV51216EBLL-55TLI за ціною від 144.66 грн до 349.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
PSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 60ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 8MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 55ns Memory Interface: Parallel Access Time: 55 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
PSRAM Async Single Port 8M-bit 512K x 16 60ns 44-Pin TSOP-II |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-55TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.5÷3.6V; 55ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Operating voltage: 2.5...3.6V Access time: 55ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |