IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR ISSI
Виробник: ISSI32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR ISSI
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 54-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 2M x 16.
Інші пропозиції IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 32Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 2M x 16 |
товару немає в наявності |
|
| IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v~1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
товару немає в наявності |