Продукція > ISSI > IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI


66-67WVC2M16EALL-1102571.pdf Виробник: ISSI
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.87 грн
10+390.87 грн
25+331.79 грн
100+300.89 грн
480+293.54 грн
960+285.44 грн
2880+282.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS66WVC2M16ECLL-7010BLI ISSI

Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 32Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 2M x 16.

Інші пропозиції IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Виробник : ISSI 52279599359163366-67wvc2m16eall.pdf 32Mb Async/Page/Burst Cellular RAM 1.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 66-67WVC2M16EALL.pdf Description: IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 54-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 54-VFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 2M x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Виробник : ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 1.7÷1.95/2.7÷3.6V; 70ns
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 70ns
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Memory: 32Mb SRAM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: VFBGA54
Operating voltage: 1.7...1.95/2.7...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.