IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI
Виробник: ISSI16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V3.6V, VDDQ 2.7V3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: PSRAM, Memory: 16Mb SRAM, Memory organisation: 1Mx16bit, Operating voltage: 2.7...3.6V, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Access time: 70ns.
Інші пропозиції IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/706;48TFBGA-1.2-6x8;;48.jpg "IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR") |
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA |
товару немає в наявності |
|
 |
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Access time: 70ns |
товару немає в наявності |