
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR ISSI

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V~3.6V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 318.46 грн |
10+ | 285.22 грн |
25+ | 242.72 грн |
100+ | 216.26 грн |
250+ | 215.50 грн |
500+ | 207.18 грн |
1000+ | 198.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: PSRAM, Memory: 32Mb SRAM, Memory organisation: 2Mx16bit, Operating voltage: 2.7...3.6V, Case: TFBGA48, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Access time: 70ns.
Інші пропозиції IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||
IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: PSRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Operating voltage: 2.7...3.6V Case: TFBGA48 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Access time: 70ns |
товару немає в наявності |