IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 325.28 грн |
| 10+ | 291.50 грн |
| 25+ | 282.86 грн |
| 50+ | 259.28 грн |
| 100+ | 253.12 грн |
| 480+ | 239.31 грн |
| 960+ | 229.49 грн |
| 1440+ | 226.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS66WVE4M16EBLL-70BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | ISSI |
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)