| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 401.77 грн |
| 10+ | 371.22 грн |
| 25+ | 356.70 грн |
| 50+ | 332.59 грн |
| 100+ | 297.94 грн |
| 250+ | 282.06 грн |
| 480+ | 260.73 грн |
| 960+ | 251.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA, Speicherdichte: 64Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Versorgungsspannung, nom.: -, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 48Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Pseudo-SRAM, Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit.
Інші пропозиції IS66WVE4M16EBLL-70BLI за ціною від 251.51 грн до 447.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | ISSI |
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGADigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 4M x 16 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Active Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: PSRAM Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 64Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray |
на замовлення 3880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | ISSI |
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IS66WVE4M16EBLL-70BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 VtariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 64Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pseudo-SRAM Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
![]() |
Виробник: ISSI
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
PSRAM Async Single Port 64M-bit 4M x 16 70ns 48-Pin TFBGA
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 401.77 грн |
| 39+ | 371.22 грн |
| 40+ | 356.70 грн |
| 50+ | 332.59 грн |
| 100+ | 297.94 грн |
| 250+ | 282.06 грн |
| 480+ | 260.73 грн |
| 960+ | 251.51 грн |
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
![]() |
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.56 грн |
| 10+ | 401.32 грн |
| 25+ | 389.29 грн |
| 50+ | 356.76 грн |
| 100+ | 348.22 грн |
| 480+ | 329.11 грн |
| 960+ | 315.58 грн |
| 1440+ | 310.88 грн |
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
![]() |
Виробник: ISSI
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS66WVE4M16EBLL-70BLI - SRAM, Pseudo-SRAM, 64 Mbit, 4M x 16 Bit, TFBGA, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pseudo-SRAM
Speicherkonfiguration: 4M x 16 Bit
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





