IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc


66-67WVE4M16EALL-BLL-CLL.pdf
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
Memory Organization: 4M x 16
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA, Memory Organization: 4M x 16, Access Time: 70 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Memory Format: PSRAM, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 64Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 48-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR Виробник : ISSI 66-67WVE4M16EALL-BLL-CLL-462616.pdf SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V~1.95V, VDDQ 2.7V~3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.