
IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI

SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 467.77 грн |
10+ | 421.32 грн |
25+ | 359.01 грн |
50+ | 356.81 грн |
100+ | 320.02 грн |
250+ | 278.09 грн |
480+ | 274.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 4M x 16.
Інші пропозиції IS66WVE4M16TBLL-70BLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 4M x 16 |
товару немає в наявності |