IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
Memory Format: PSRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 4M x 16
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 543.97 грн |
| 10+ | 487.82 грн |
| 25+ | 473.01 грн |
| 50+ | 433.43 грн |
| 100+ | 422.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVE4M16TBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 70ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 70 ns, Memory Organization: 4M x 16.
Інші пропозиції IS66WVE4M16TBLL-70BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WVE4M16TBLL-70BLI | ISSI |
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS |
на замовлення 817 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS66WVE4M16TBLL-70BLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)