
IS66WVH8M8DALL-200B1LI ISSI
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 360.48 грн |
10+ | 322.34 грн |
25+ | 273.67 грн |
100+ | 244.98 грн |
250+ | 244.25 грн |
480+ | 218.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVH8M8DALL-200B1LI ISSI
Description: 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200, Packaging: Tray, Package / Case: 24-TBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM), Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: PSRAM, Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Memory Interface: HyperBus, Access Time: 35 ns, Memory Organization: 8M x 8.
Інші пропозиції IS66WVH8M8DALL-200B1LI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IS66WVH8M8DALL-200B1LI | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
IS66WVH8M8DALL-200B1LI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() Packaging: Tray Package / Case: 24-TBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: PSRAM (Pseudo SRAM) Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: PSRAM Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 35ns Memory Interface: HyperBus Access Time: 35 ns Memory Organization: 8M x 8 |
товару немає в наявності |