IS66WVH8M8FALL-200B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: 64MB, HYPERRAM, 8MBX8, 1.8V, 200
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 64Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 8M x 8
Access Time: 35 ns
Memory Interface: HyperBus
Write Cycle Time - Word, Page: 35ns
Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8)
Memory Format: PSRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 354.28 грн |
| 10+ | 318.37 грн |
| 25+ | 308.95 грн |
| 50+ | 283.19 грн |
| 100+ | 276.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS66WVH8M8FALL-200B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: 64MB, HYPERRAM, 8MBX8, 1.8V, 200, Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V, Operating Temperature: -40°C ~ 80°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 64Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 24-TBGA, Packaging: Tray, Memory Organization: 8M x 8, Access Time: 35 ns, Memory Interface: HyperBus, Write Cycle Time - Word, Page: 35ns, Supplier Device Package: 24-TFBGA (6x8), Memory Format: PSRAM, Clock Frequency: 200 MHz, Technology: PSRAM (Pseudo SRAM).
Інші пропозиції IS66WVH8M8FALL-200B1LI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS66WVH8M8FALL-200B1LI | ISSI |
DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS66WVH8M8FALL-200B1LI |
|
Виробник: ISSI
DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)