ISA150233C03LMDSXTMA INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 60.36 грн |
| 500+ | 44.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISA150233C03LMDSXTMA INFINEON
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISA150233C03LMDSXTMA за ціною від 44.33 грн до 141.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISA150233C03LMDSXTMA | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISA150233C03LMDSXTMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ISA150233C03LMDSXTMA | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ISA150233C03LMDSXTMA | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISA150233C03LMDSXTMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
товару немає в наявності |