Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA150233C03LMDSXTMA
ISA150233C03LMDSXTMA

ISA150233C03LMDSXTMA Infineon Technologies

infineonisa150233c03lmdsdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
289+49.03 грн
290+48.82 грн
322+42.45 грн
323+39.18 грн
500+37.50 грн
1000+37.38 грн
3000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISA150233C03LMDSXTMA Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ISA150233C03LMDSXTMA за ціною від 34.55 грн до 127.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA Infineon Technologies infineonisa150233c03lmdsdatasheetv0100en.pdf Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.25 грн
16+49.03 грн
25+48.93 грн
50+47.08 грн
100+39.31 грн
250+37.61 грн
500+37.50 грн
1000+37.38 грн
3000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA INFINEON 4421049.pdf Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA Infineon Technologies Infineon-ISA150233C03LMDS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d2ed4aca62c5 Description: ISA150233C03LMDSXTMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.73 грн
10+72.92 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA ISA150233C03LMDSXTMA INFINEON 4421049.pdf Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.46 грн
11+80.91 грн
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA infineonisa150233c03lmdsdatasheetv0100en.pdf
ISA150233C03LMDSXTMA
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+53.25 грн
16+49.03 грн
25+48.93 грн
50+47.08 грн
100+39.31 грн
250+37.61 грн
500+37.50 грн
1000+37.38 грн
3000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA 4421049.pdf
ISA150233C03LMDSXTMA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA Infineon-ISA150233C03LMDS-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d2ed4aca62c5
ISA150233C03LMDSXTMA
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA150233C03LMDSXTMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+119.73 грн
10+72.92 грн
100+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA150233C03LMDSXTMA 4421049.pdf
ISA150233C03LMDSXTMA
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA150233C03LMDSXTMA - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 10.2 A, 8.8 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0233ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+127.46 грн
11+80.91 грн
100+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.