ISA150233C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.00 грн |
| 12+ | 27.27 грн |
| 25+ | 24.38 грн |
| 100+ | 19.96 грн |
| 250+ | 18.56 грн |
| 500+ | 17.72 грн |
| 1000+ | 16.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISA150233C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD.
Інші пропозиції ISA150233C03LMDSXTMA1 за ціною від 18.62 грн до 83.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISA150233C03LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ISA150233C03LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 30V |
на замовлення 3756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ISA150233C03LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ISA150233C03LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 10.2A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 2300pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V, 23.3mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ISA150233C03LMDSXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Mounting: SMD |
товару немає в наявності |