ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 489+ | 25.46 грн |
| 549+ | 22.68 грн |
| 569+ | 21.86 грн |
| 616+ | 19.50 грн |
| 1000+ | 15.87 грн |
| 3000+ | 14.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISA170170N04LMDSXTMA1 за ціною від 14.12 грн до 85.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISA170170N04LMDSXTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
ISA170170N04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISA170170N04LMDSXTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
товару немає в наявності |