Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA170170N04LMDSXTMA1
ISA170170N04LMDSXTMA1

ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

infineonisa170170n04lmdsdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
678+20.93 грн
731+19.41 грн
738+19.22 грн
768+17.81 грн
1000+15.15 грн
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 678 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ISA170170N04LMDSXTMA1 за ціною від 14.52 грн до 73.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineonisa170170n04lmdsdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.40 грн
36+21.14 грн
37+20.93 грн
100+18.72 грн
250+17.16 грн
500+15.84 грн
1000+14.55 грн
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a Description: ISA170170N04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.60 грн
100+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA170170N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 ISA170170N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421052.pdf Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 infineonisa170170n04lmdsdatasheetv0200en.pdf
ISA170170N04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8-Pin DSO T/R
на замовлення 3951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+22.40 грн
36+21.14 грн
37+20.93 грн
100+18.72 грн
250+17.16 грн
500+15.84 грн
1000+14.55 грн
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon-ISA170170N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fbc7d631a
ISA170170N04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA170170N04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.00 грн
10+43.60 грн
100+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 Infineon_ISA170170N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISA170170N04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 4421052.pdf
ISA170170N04LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170170N04LMDSXTMA1 4421052.pdf
ISA170170N04LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170170N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.