Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA170230C04LMDSXTMA1
ISA170230C04LMDSXTMA1

ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
370+38.22 грн
374+37.83 грн
396+35.69 грн
400+34.07 грн
500+30.20 грн
1000+28.09 грн
3000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ISA170230C04LMDSXTMA1 за ціною від 27.19 грн до 117.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.12 грн
20+38.22 грн
25+37.83 грн
100+34.42 грн
250+31.55 грн
500+28.99 грн
1000+28.09 грн
3000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf Power-Transistor MOSFET
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+52.21 грн
24000+47.72 грн
36000+44.40 грн
48000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.67 грн
10+71.76 грн
100+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA170230C04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421050.pdf Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1 INFINEON 4421050.pdf Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf
ISA170230C04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.12 грн
20+38.22 грн
25+37.83 грн
100+34.42 грн
250+31.55 грн
500+28.99 грн
1000+28.09 грн
3000+27.19 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 infineonisa170230c04lmdsdatasheetv0200en.pdf
ISA170230C04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+52.21 грн
24000+47.72 грн
36000+44.40 грн
48000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 ISA170230C04LMDSXTMA1.pdf
ISA170230C04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.67 грн
10+71.76 грн
100+47.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon_ISA170230C04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISA170230C04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 4421050.pdf
ISA170230C04LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA170230C04LMDSXTMA1 4421050.pdf
ISA170230C04LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.