на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 370+ | 34.95 грн |
| 374+ | 34.60 грн |
| 396+ | 32.65 грн |
| 400+ | 31.16 грн |
| 500+ | 27.62 грн |
| 1000+ | 25.69 грн |
| 3000+ | 24.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ISA170230C04LMDSXTMA1 за ціною від 25.45 грн до 121.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISA170230C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9.6 A, 9.6 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| ISA170230C04LMDSXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Polarisation: unipolar Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товару немає в наявності |