| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 370+ | 38.30 грн |
| 374+ | 37.91 грн |
| 396+ | 35.77 грн |
| 400+ | 34.15 грн |
| 500+ | 30.27 грн |
| 1000+ | 28.15 грн |
| 3000+ | 27.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISA170230C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-DSO-8-920.
Інші пропозиції ISA170230C04LMDSXTMA1 за ціною від 25.73 грн до 116.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 3978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Infineon Technologies |
Power-Transistor MOSFET |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V |
на замовлення 4167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ISA170230C04LMDSXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA Supplier Device Package: PG-DSO-8-920 |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ISA170230C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 41.21 грн |
| 20+ | 38.30 грн |
| 25+ | 37.91 грн |
| 100+ | 34.50 грн |
| 250+ | 31.62 грн |
| 500+ | 29.05 грн |
| 1000+ | 28.15 грн |
| 3000+ | 27.25 грн |
| ISA170230C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Power-Transistor MOSFET
Power-Transistor MOSFET
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 52.33 грн |
| 24000+ | 47.82 грн |
| 36000+ | 44.50 грн |
| 48000+ | 40.47 грн |
| ISA170230C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 4167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.12 грн |
| 10+ | 71.81 грн |
| 100+ | 41.51 грн |
| 500+ | 35.03 грн |
| 1000+ | 31.93 грн |
| 2000+ | 29.32 грн |
| 4000+ | 25.73 грн |
| ISA170230C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Description: ISA170230C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 9.6A (Tc), 6.6A (Ta), 8.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V, 2500pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.6A, 10V, 23mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.56 грн |
| 10+ | 71.09 грн |
| 100+ | 47.37 грн |





