Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA220280C03LMDSXTMA1
ISA220280C03LMDSXTMA1

ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISA220280C03LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d35b32f46369
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA220280C03LMDSXTMA1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, 28mOhm @ 8.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 8.4A (Tc), 6.1A (Ta), 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.92 грн
10+37.29 грн
100+24.21 грн
500+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ISA220280C03LMDSXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA220280C03LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 30V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 INFINEON 4421048.pdf Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 INFINEON 4421048.pdf Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon-ISA220280C03LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d35b32f46369 Description: ISA220280C03LMDSXTMA1
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, 28mOhm @ 8.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 8.4A (Tc), 6.1A (Ta), 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon_ISA220280C03LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISA220280C03LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 30V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 4421048.pdf
ISA220280C03LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 4421048.pdf
ISA220280C03LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon-ISA220280C03LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d35b32f46369
ISA220280C03LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA220280C03LMDSXTMA1
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V, 28mOhm @ 8.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 8.4A (Tc), 6.1A (Ta), 8.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.