Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISA250250N04LMDSXTMA1
ISA250250N04LMDSXTMA1

ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

infineon-isa250250n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 5.9A T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
594+23.68 грн
667+21.09 грн
692+20.32 грн
747+18.14 грн
1000+14.75 грн
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISA250250N04LMDSXTMA1 за ціною від 13.52 грн до 94.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies infineon-isa250250n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.9A T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.78 грн
31+24.94 грн
32+23.68 грн
100+20.34 грн
250+18.15 грн
500+16.13 грн
1000+14.16 грн
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320 Description: ISA250250N04LMDSXTMA1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 7.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.68 грн
10+57.22 грн
100+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon Technologies Infineon_ISA250250N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421051.pdf Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON 4421051.pdf Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 infineon-isa250250n04lmds-datasheet-v02_00-en.pdf
ISA250250N04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 5.9A T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+29.78 грн
31+24.94 грн
32+23.68 грн
100+20.34 грн
250+18.15 грн
500+16.13 грн
1000+14.16 грн
3000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320
ISA250250N04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA250250N04LMDSXTMA1
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 7.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.68 грн
10+57.22 грн
100+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon_ISA250250N04LMDS_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISA250250N04LMDSXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 4421051.pdf
ISA250250N04LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 4421051.pdf
ISA250250N04LMDSXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250250N04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 7.9 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.