ISA250300C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISA250300C04LMDSXTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Ta), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 7.9A (Tc), 5.8A (Ta), 7.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V, 30mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-920
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.68 грн |
| 10+ | 38.22 грн |
| 100+ | 24.81 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| 2000+ | 14.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISA250300C04LMDSXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ISA250300C04LMDSXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
ISA250300C04LMDSXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
ISA250300C04LMDSXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
ISA250300C04LMDSXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 86 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISA250300C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
MOSFETs OptiMOS Dual power MOSFET 40V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISA250300C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISA250300C04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - ISA250300C04LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7.9 A, 7.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




