Продукція > INFINEON > ISC007N04NM6ATMA1
ISC007N04NM6ATMA1

ISC007N04NM6ATMA1 INFINEON


3199862.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3867 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.29 грн
500+105.83 грн
1000+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC007N04NM6ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 381A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 600µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC007N04NM6ATMA1 за ціною від 79.87 грн до 243.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ISC007N04NM6ATMA1 ISC007N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC007N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017715b9644363e7 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.80 грн
10+143.92 грн
100+100.30 грн
500+79.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 ISC007N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC007N04NM6_DataSheet_v02_02_EN-3363625.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.66 грн
10+175.25 грн
100+105.95 грн
500+88.53 грн
5000+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 ISC007N04NM6ATMA1 Виробник : INFINEON 3199862.pdf Description: INFINEON - ISC007N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 381 A, 0.0006 ohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 381A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.40 грн
10+166.88 грн
100+121.29 грн
500+105.83 грн
1000+91.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc007n04nm6-datasheet-v02_00-en.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC007N04NM6ATMA1 ISC007N04NM6ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC007N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017715b9644363e7 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.