ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.72 грн |
| 10+ | 162.60 грн |
| 25+ | 149.09 грн |
| 100+ | 126.02 грн |
| 250+ | 119.39 грн |
| 500+ | 115.39 грн |
| 1000+ | 110.26 грн |
| 2500+ | 106.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V.
Інші пропозиції ISC008N06LM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC008N06LM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V |
на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ISC008N06LM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)