ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.14 грн |
| 10+ | 195.64 грн |
| 100+ | 145.02 грн |
| 500+ | 130.38 грн |
| 1000+ | 116.44 грн |
| 2500+ | 115.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC008N06LM6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V.
Інші пропозиції ISC008N06LM6ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC008N06LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc) Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
ISC008N06LM6ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 221W (Tc) Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |