Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC009N03LF2SATMA1
ISC009N03LF2SATMA1

ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC009N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 341A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 15 V
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.52 грн
10+61.60 грн
25+55.77 грн
100+46.29 грн
250+43.40 грн
500+41.66 грн
1000+39.57 грн
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 341A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 188W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm.

Інші пропозиції ISC009N03LF2SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC009N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN.pdf TRENCH <= 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 ISC009N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04 Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
ISC009N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon_ISC009N03LF2S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
ISC009N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N03LF2SATMA1 Infineon-ISC009N03LF2S-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001938bedb04e1a04
ISC009N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 341 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 341A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.