Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC009N06LM5ATMA1
ISC009N06LM5ATMA1

ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f3b8c096992
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.57 грн
10+286.10 грн
100+204.86 грн
500+159.74 грн
1000+149.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 348A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції ISC009N06LM5ATMA1 за ціною від 248.17 грн до 446.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc009n06lm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+446.48 грн
10+326.30 грн
100+248.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-isc009n06lm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+446.48 грн
44+326.30 грн
100+248.17 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 7830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON 3328488.pdf Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 ISC009N06LM5ATMA1 INFINEON 3328488.pdf Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 International Rectifier/Infineon Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 348, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 30, Qg, нКл = 209, Rds = 0,9 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5000+295.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 infineon-isc009n06lm5-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+446.48 грн
10+326.30 грн
100+248.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 infineon-isc009n06lm5-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+446.48 грн
44+326.30 грн
100+248.17 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 7830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 3328488.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 3328488.pdf
ISC009N06LM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC009N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 348 A, 0.00075 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 348A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC009N06LM5ATMA1 Infineon-ISC009N06LM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 348, Ciss, пФ @ Uds, В = 13000 @ 30, Qg, нКл = 209, Rds = 0,9 Ом, Ugs(th) = 2,3 В, Р, Вт = 214, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+295.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.