ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 50.16 грн |
| 10000+ | 46.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 285A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ISC010N04NM6ATMA1 за ціною від 49.90 грн до 254.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC010N04NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 285A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON-FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V |
на замовлення 14134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ISC010N04NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ISC010N04NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 285A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON-FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ISC010N04NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 112.65 грн |
| 500+ | 86.28 грн |
| 1000+ | 71.19 грн |
| 5000+ | 65.06 грн |
| ISC010N04NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
на замовлення 14134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.58 грн |
| 10+ | 112.47 грн |
| 100+ | 76.94 грн |
| 500+ | 57.94 грн |
| 1000+ | 53.67 грн |
| ISC010N04NM6ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.88 грн |
| 10+ | 123.20 грн |
| 100+ | 73.30 грн |
| 500+ | 60.54 грн |
| 1000+ | 54.69 грн |
| 2500+ | 52.58 грн |
| 5000+ | 49.90 грн |
| ISC010N04NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 254.91 грн |
| 10+ | 165.28 грн |
| 100+ | 112.65 грн |
| 500+ | 86.28 грн |
| 1000+ | 71.19 грн |
| 5000+ | 65.06 грн |