Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC010N04NM6ATMA1
ISC010N04NM6ATMA1

ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC010N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017715b9843e63ea
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 285A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON-FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm.

Інші пропозиції ISC010N04NM6ATMA1 за ціною від 53.73 грн до 211.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc010n04nm6datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+114.49 грн
500+103.04 грн
1000+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC010N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017715b9843e63ea Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.66 грн
10+112.59 грн
100+77.04 грн
500+58.01 грн
1000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc010n04nm6datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.46 грн
10+148.69 грн
100+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonisc010n04nm6datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+211.46 грн
95+148.69 грн
131+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 INFINEON 3199863.pdf Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC010N04NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 ISC010N04NM6ATMA1 INFINEON 3199863.pdf Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 infineonisc010n04nm6datasheetv0200en.pdf
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+114.49 грн
500+103.04 грн
1000+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 Infineon-ISC010N04NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017715b9843e63ea
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 285A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 747µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 20 V
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.66 грн
10+112.59 грн
100+77.04 грн
500+58.01 грн
1000+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 infineonisc010n04nm6datasheetv0200en.pdf
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+211.46 грн
10+148.69 грн
100+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 infineonisc010n04nm6datasheetv0200en.pdf
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+211.46 грн
95+148.69 грн
131+107.32 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 3199863.pdf
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 Infineon_ISC010N04NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC010N04NM6ATMA1 3199863.pdf
ISC010N04NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC010N04NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 285 A, 820 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 285A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 820µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.