Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC010N06NM5ATMA1
ISC010N06NM5ATMA1

ISC010N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC010N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be8e677d07aaf Виробник: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.36 грн
10+ 206.13 грн
100+ 166.75 грн
500+ 139.1 грн
1000+ 119.11 грн
2000+ 112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC010N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.

Інші пропозиції ISC010N06NM5ATMA1 за ціною від 122.85 грн до 277.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_ISC010N06NM5_DataSheet_v02_00_EN-2907921.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 3804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+277.41 грн
10+ 229.4 грн
25+ 188.91 грн
100+ 161.83 грн
250+ 152.58 грн
500+ 143.99 грн
1000+ 122.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
ISC010N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-isc010n06nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 39A T/R
товар відсутній
ISC010N06NM5ATMA1 ISC010N06NM5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-ISC010N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be8e677d07aaf Description: OPTIMOS5 60 V POWER MOSFET IN SU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
товар відсутній