ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 30.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції ISC011N03L5SATMA1 за ціною від 30.37 грн до 112.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 355000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
на замовлення 14972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 9977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
ISC011N03L5SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R |
товару немає в наявності |