Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC011N03L5SATMA1
ISC011N03L5SATMA1

ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції ISC011N03L5SATMA1 за ціною від 29.78 грн до 130.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.80 грн
10+43.29 грн
100+35.50 грн
500+32.22 грн
1000+30.03 грн
2000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+102.93 грн
140+100.42 грн
171+82.18 грн
250+77.82 грн
500+62.53 грн
1000+45.06 грн
3000+44.12 грн
6000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.84 грн
10+102.93 грн
25+100.42 грн
100+79.24 грн
250+72.06 грн
500+60.03 грн
1000+45.06 грн
3000+44.12 грн
6000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+130.17 грн
110+127.77 грн
135+104.61 грн
200+94.31 грн
500+79.54 грн
1000+56.61 грн
2000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 Infineon Technologies Infineon_ISC011N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399770.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 INFINEON Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982 Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.80 грн
10+43.29 грн
100+35.50 грн
500+32.22 грн
1000+30.03 грн
2000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+102.93 грн
140+100.42 грн
171+82.18 грн
250+77.82 грн
500+62.53 грн
1000+45.06 грн
3000+44.12 грн
6000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.84 грн
10+102.93 грн
25+100.42 грн
100+79.24 грн
250+72.06 грн
500+60.03 грн
1000+45.06 грн
3000+44.12 грн
6000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 infineon-isc011n03l5s-datasheet-v02_00-en.pdf
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
108+130.17 грн
110+127.77 грн
135+104.61 грн
200+94.31 грн
500+79.54 грн
1000+56.61 грн
2000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon_ISC011N03L5S_DataSheet_v02_00_EN-2399770.pdf
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 9963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISC011N03L5SATMA1 Infineon-ISC011N03L5S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6d6d80982
ISC011N03L5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.