ISC011N04NM7VATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISC011N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 256A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 161.96 грн |
| 10+ | 100.14 грн |
| 100+ | 68.05 грн |
| 500+ | 50.98 грн |
| 1000+ | 46.83 грн |
| 2000+ | 45.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISC011N04NM7VATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 256A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm.
Інші пропозиції ISC011N04NM7VATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ISC011N04NM7VATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V |
на замовлення 4636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
ISC011N04NM7VATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 256A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
ISC011N04NM7VATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ISC011N04NM7VATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ISC011N04NM7VATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 256A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 256A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.15V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISC011N04NM7VATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - ISC011N04NM7VATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 256 A, 1050 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)