Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > ISC011N06LM5ATMA1

ISC011N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

Name: ISC011N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 13583197-3
Price: 330.98 UAH
Availability: InStock

Infineon-ISC011N06LM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01795f5741e469ea

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 288A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 1445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	330.98 грн
10+	211.03 грн
100+	149.85 грн
500+	122.91 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ISC011N06LM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 288A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 188W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm.

Інші пропозиції ISC011N06LM5ATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
ISC011N06LM5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	на замовлення 9678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ISC011N06LM5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 188W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm	на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
ISC011N06LM5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	на замовлення 4945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Infineon_ISC011N06LM5_DataSheet_v02_02_EN.pdf

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V

на замовлення 9678 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 188W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm

на замовлення 3620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

ISC011N06LM5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC011N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 288 A, 1150 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 4945 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.